Tsugunori Okumura: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (40)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Ideal GaAs Schottky contacts fabricated by in situ photoelectrochemical etching and electrodeposition

Tsugunori Okumura, Chinami Kaneshiro

Журнал:

Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics))

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 195 KB

english, 1999

2

Fabrication and characterization of GaInP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes grown by MOCVD

Naoya Asaoka, Hiroki Funato, Michihiko Suhara, Tsugunori Okumura

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 226 KB

english, 2003

3

Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing

Takimoto, Takuma, Takeshita, Koji, Nakamura, Seiji, Okumura, Tsugunori

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 591 KB

english, 2014

4

Nanograin Formation and Superplastic Deformation in TiAl Mechanically Alloyed Compacts

Ameyama, Kei, Fujii, T., Okumura, Tsugunori, Sodeoka, Satoshi, Tokizane, M.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

1997

Файл:

PDF, 813 KB

1997

5

Mapping evaluation of damage effect on electrical properties of GaAs Schottky contacts

Kenji Shiojima, Tsugunori Okumura

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

1990

Мова:

english

Файл:

PDF, 575 KB

english, 1990

6

Preface

Tsugunori Okumura, Takashi Fukui, Hideki Hasegawa

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 31 KB

english, 2002

7

A study of estimation method for conduction band offset in semiconductor heterostructure by using triple-barrier resonant tunneling diodes

Susumu Ohki, Hiroki Funato, Michihiko Suhara, Tsugunori Okumura, Lars-Erik Wernersson, Werner Seifert

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 141 KB

english, 2002

8

Comparison between process-induced defects in n-GaAs exposed to hydrogen and argon plasmas

Tatsuyuki Shinagawa, Tsugunori Okumura

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 388 KB

english, 1997

9

Photo-enhanced reactivation of Si donors deactivated by plasma-induced defects in n-type GaN

Seiji Nakamura, Yuki Ikadai, Masayuki Suda, Michihiko Suhara, Tsugunori Okumura

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 175 KB

english, 2007

10

Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors

Seiji Nakamura, Noriyuki Takahashi, Tsugunori Okumura

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 153 KB

english, 2009

11

Electron and hole traps in N-GaAs crystals

Tsugunori Okumura, Masahiko Takikawa, Toshiaki Ikoma

Журнал:

Applied Physics A: Materials Science & Processing

Рік:

1976

Мова:

english

Файл:

PDF, 172 KB

english, 1976

12

Deep levels and growth conditions of LPE GaAs crystals

Tsugunori Okumura, Toshiaki Ikoma

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 669 KB

english, 1978

13

New physical model to explain logarithmic time dependence of data retention in flash EEPROM

Shiro Kamohara, Tsugunori Okumura

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 303 KB

english, 2008

14

Preface

Yukio Yasuda, Tsugunori Okumura

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 77 KB

english, 2008

15

Effect of substrate temperature in chloroaluminum phthalocyanine thin films deposition studied by scanning tunneling microscopy and tunneling spectroscopy

Takashi Ohmori, Hideki Masuda, Michiko Shimura, Junichi Kuroda, Tsugunori Okumura

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 653 KB

english, 1998

16

Properties of metastable hydrogen-related defects in n-type GaAs studied by isothermal deep-level transient spectroscopy

Tokuda, Yutaka, Kamiya, Kazuhiro, Okumura, Tsugunori

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 253 KB

english, 2000

17

[IEEE 2006 64th Device Research Conference - State College, PA, USA (2006.06.26-2006.06.28)] 2006 64th Device Research Conference - A Proposal of Broadband High-Q Monolithic Active Inductors by Using Resonant Tunneling Diodes

Suhara, Michihiko, Horie, Hajime, Okumura, Tsugunori

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.93 MB

english, 2006

18

[IEEE 2007 65th Annual Device Research Conference - South Bend, IN, USA (2007.06.18-2007.06.20)] 2007 65th Annual Device Research Conference - Dispersion Design of a Left-Handed Microstrip Line with Planar Double-Stub and Split-Ring Structures for Leaky Wave Radiation toward Functional RF Wireless Interconnect

Suhara, Michihiko, Shimizu, Akito, Okumura, Tsugunori

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 851 KB

english, 2007

19

[IEEE 2012 IEEE Sensors - Taipei, Taiwan (2012.10.28-2012.10.31)] 2012 IEEE Sensors - Selective hydrogen detection of Pd/AlGaN/GaN HEMT-type sensors by temperature sweep operation

Watanabe, Akifumi, Nakamura, Seiji, Okumura, Tsugunori

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 773 KB

english, 2012

20

[IEEE 2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials - Matsue, Japan (2007.05.14-2007.05.18)] 2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials - Fundamental Properties of Intentionally Neutralized Argon Fast ATM Beam Etching for III-V Semiconductors

Suhara, Michihiko, Naoi, Mamoru, Matsuzaka, Norihiko, Matsuura, Eigo, Okumura, Tsugunori

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.65 MB

english, 2007

21

Invited: Deep Levels in GaAs and GaP

Ikoma, Toshiaki, Takikawa, Masahiko, Okumura, Tsugunori

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1977

Файл:

PDF, 1.23 MB

1977

22

Direct Trap-Density Analysis with Junction Capacitance Transient: Trap Density Spectroscopy (TDS)

Okumura, Tsugunori

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1985

Файл:

PDF, 327 KB

1985

23

Role of the EL2 Center on the Formation of Metastable Hydrogen-related Defects (M3/M4) in n-GaAs

Shinagawa, Tatsuyuki, Okumura, Tsugunori

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1998

Файл:

PDF, 1.03 MB

1998

24

Kelvin-SPV Measurements of Atomically-Flat Si(111) Surfaces Contaminated with Metallic Ions

Tagawa, T., Okumura, Tsugunori

Журнал:

Solid State Phenomena

Рік:

1999

Файл:

PDF, 279 KB

1999

25

Anomalous Enhancement of In-Diffusion of Plasma-Induced Defects in GaN upon Ultraviolet-Light Irradiation

Nakamura, Seiji, Hoshino, Koichi, Ikadai, Yuki, Suda, Masayuki, Okumura, Tsugunori

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 418 KB

english, 2013

26

Statistical p–n Junction Leakage Model via Trap Level Fluctuation for Refresh-Time-Oriented Dynamic Random Access Memory Design

Kamohara, Shiro, Kubota, Katsuhiko, Moniwa, Masahiro, Okumura, Tsugunori

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 205 KB

english, 2008

27

Improvement in Spatial Resolution of Infrared Scanning Internal-Photoemission Microscope

Shiojima, Kenji, Okumura, Tsugunori

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1991

Файл:

PDF, 524 KB

1991

28

Scanning Internal-Photoemission Microscopy: New Mapping Technique to Characterize Electrical Inhomogeneity of Metal-Semiconductor Interface

Okumura, Tsugunori, Shiojima, Kenji

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 314 KB

english, 1989

29

Low Barrier Height and Nonuniformity in Al Schottky Contacts on Chemically Etched n-GaAs

Okumura, Tsugunori, Shibata, Takeshi

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1988

Файл:

PDF, 805 KB

1988

30

Room-Temperature Characterization of Midgap Level (EL2) in GaAs Diodes without Metallization Processes

Okumura, Tsugunori, Hoshino, Minoru

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1986

Мова:

english

Файл:

PDF, 134 KB

english, 1986

31

Dominant Deep Level in Annealed Low-Temperature GaAs Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy

Lin, Tsai-Cheng, Kaibe, Hiromasa T., Okumura, Tsugunori

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 378 KB

english, 1994

32

Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes

Suhara, Michihiko, Matsuzaka, Norihiko, Fukumitsu, Masakazu, Okumura, Tsugunori

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 175 KB

english, 2006

33

GaAs Schottky Diodes with Ideality Factor of Unity Fabricated by In Situ Photoelectrochemical Process

Okumura, Tsugunori, Yamamoto, Shin-ichi, Shimura, Michiko

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1993

Файл:

PDF, 1.13 MB

1993

34

DLTS Study on Annealed Low-Temperature GaAs Layers with An n-I(LT)-n Structure Grown by MBE

Lin, Tsai-Cheng, Kaibe, Hiromasa T, Okumura, Tsugunori

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 406 KB

english, 1995

35

Hydrogen-Related Electron Traps in GaAs and their Relation to Crystal Stoichiometry

Shinagawa, Tatsuyuki, Okumura, Tsugunori

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 420 KB

english, 1995

36

Relationship Between Hydrogen-Related Metastable Defect And EL2-Level In GaAs Crystals

Shinagawa, Tatsuyuki, Okumura, Tsugunori

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 398 KB

english, 1996

37

Microscopic Characterization of Schottky Barrier Height by Scanning Internal-Photoemission Microscopy.

Okumura, Tsugunori

Журнал:

Рік:

1995

Файл:

PDF, 2.64 MB

1995

38

Determination of dissolved oxygen using electrochromism of cobalt naphthalocyanine electrode.

SHIMURA, Michiko, OKUMURA, Tsugunori, OZAWA, Kin-ichi, SHIMURA, Yukio

Журнал:

Journal of The Surface Finishing Society of Japan

Рік:

1991

Файл:

PDF, 267 KB

1991

39

Thermoelectric properties of melt-grown and sintered PbTe-SnTe solid solutions.

KAIBE, Hiromasa T., YONEDA, Seiji, OKUMURA, Tsugunori, SHIMAZAKI, Yoshiki, IMAI, Yoshio, NISHIDA, Isao A., SHIOTA, Ichiro

Журнал:

Journal of Advanced Science

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 949 KB

english, 1995

40

Single crystal growth and thermoelectric properties of Bi2Te3 compounds with graded carrier concentration

Kaibe, Hiromasa T., Okumura, Tsugunori, Nishida, Isao A.

Журнал:

IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials

Рік:

1996

Файл:

PDF, 2.65 MB

1996